이강욱 SK하이닉스 부사장 “AI 서버 HBM 숫자 증가할 것”

송고 2024.09.03 12:24 | 수정 2024.09.03 12:26
EBN 김채린 기자 (zmf007@ebn.co.kr)

이강욱 SK하이닉스 부사장, 3일 대만 ‘세미콘 타이완’ 참석

'AI 시대를 대비하는 HBM과 어드밴스드 패키징 기술' 발표

이강욱 SK하이닉스 부사장. ⓒSK하이닉스

이강욱 SK하이닉스 부사장(PKG개발 담당)이 인공지능(AI) 서버에 탑재되는 고대역폭메모리(HBM)의 숫자가 증가할 것으로 내다봤다.

이강욱 SK하이닉스 부사장은 3일 대만에서 열린 '세미콘 타이완'에 참석해 'AI 시대를 대비하는 HBM과 어드밴스드 패키징 기술'을 주제로 세션 발표를 진행했다.

이날 이강욱 부사장은 "HBM 세대가 발전하며 훈련, 추론 AI 서버에 탑재되는 평균 채택 숫자도 더 늘어날 것"이라며 "AI와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시대에는 데이터 트래픽이 급증하며 메모리 대역폭 향상에 대한 요구가 커지고 있다"고 평가했다.

이어 "메모리 성능에서 오는 시스템 병목 현상을 극복하기 위한 현존 최고 사양의 D램은 HBM이며, 이는 AI 시스템의 훈련, 추론에도 최적의 제품"이라면서 "HBM은 AI 서버와 고성능 컴퓨팅용 메모리로 광범위하게 채택되고 있다"고 덧붙였다.

이 부사장은 "현재 8단, 12단 HBM3E(5세대)는 초당 1.18TB 이상의 데이터를 처리하며 최대 36GB의 용량을 지원하는데, HBM4(6세대)는 12, 16단으로 공급되며 용량은 최대 48GB까지, 데이터 처리 속도는 초당 1.65TB 이상으로 성능이 발전할 것"이라며 "HBM4부터는 베이스 다이에 로직 공정을 적용함으로써, 성능 및 에너지 효율 향상을 기대하고 있다"고 설명했다.

HBM 성능 발전에 따라 HBM에 대한 수요도 AI 시장에서 더 늘어날 것으로 예상했다. 이 부사장은 "2023년부터 2032년까지 생성형 AI 시장은 연평균 27% 성장할 것으로 예상되는데, HBM 시장은 2022년부터 2025년까지 이미 연평균 109%의 성장이 예상된다"고 말했다.

SK하이닉스는 이같은 시장 성장세에 맞춰 2015년 업계 최초로 HBM 제품을 양산 한 후 연이어 최고 성능의 HBM 제품들을 세계 최초로 출시하면서 업계를 선도 중이다. 2025년에는 HBM4 12단 제품도 출시한다. 특히 SK하이닉스는 독자적으로 개발한 혁신적인 패키징 기술을 통해 HBM 제품의 에너지 효율 및 열 방출(방열 성능) 측면에서 압도적인 제품 경쟁력을 보유했다는 게 이 부사장의 설명이다.

이 부사장은 "SK하이닉스가 HBM 제품에 적용한 MR-MUF 패키징 기술은 낮은 본딩(칩 접합) 압력·온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 타 공정 대비 유리하다"며 "높은 열전도 특성을 갖는 Gap-Fill 물질(빈 공간을 채우는 물질) 및 높은 밀도의 메탈 범프(HBM D램을 수직으로 적층할 때 회로 연결 역할을 하는 초소형 돌기 형태의 소재) 형성이 가능해 타 공정 대비 열 방출 면에서 30% 이상의 성능 장점도 있다"고 설명했다.

SK하이닉스는 HBM3와 3E 8단 제품에 MR-MUF, 12단 제품에 Advanced MR-MUF 기술을 적용해 양산을 하고 있다. 내년 하반기 출하 예정인 HBM4 12단 제품에도 Advanced MR-MUF를 적용해 양산할 계획이다. 16단 제품을 위해 Advanced MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두에 대한 준비를 하고 있으며, 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 선택할 계획이다.

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